Q1：芯片越來越小，以后的晶片測試將如何完成？

A1：當(dāng)芯片越來越小，對測試來說，會看到兩個趨勢，脈沖和快速的測試，脈沖主要是應(yīng)對像SOI，High-K材料這樣新工藝，對于快速測試來說，我們可能要應(yīng)對NBTI或者是行進(jìn)間的擊穿這樣的現(xiàn)象。

Q2：請問有否關(guān)于Mosfet 的好的性能檢測方案？

A2：對于Mosfet來說，您可能需要一些手動參數(shù)的系統(tǒng)，吉時利4200是一個非常流行的好的解決方案，您可以通過4200配置若干個數(shù)字源表單元，就可以完成您的摩斯管的特定參數(shù)分析。

Q3：對于半導(dǎo)體器件壽命提前測試現(xiàn)今的主要手段是什么？

A3：目前最可靠的手段是WLR，傳統(tǒng)的可靠性測試常常是在，把一個芯片分裝作成成產(chǎn)品之后再做測試，在這種情況下，如果您發(fā)現(xiàn)芯片有壽命問題，在整個過程中，您花費的成本是非常大，我們現(xiàn)在往往會把可靠性測試往前提，就是說把它提到在芯片制造過程中，就可以做一些可靠性測試，對于像Mosfet，現(xiàn)在有一些標(biāo)準(zhǔn)的測試項目，像講義中提到過的NBTI等，這些都是一些非常標(biāo)準(zhǔn)的WLR測試項目，然后可以通過對這些項目進(jìn)行檢測，就可以對半導(dǎo)體的壽命進(jìn)行提前預(yù)測。

Q4：stress 是由加的電流電壓的熱效應(yīng)引起的嗎？

A4：在可靠性測試中所謂的stress指的是加電壓或者是電流的偏壓，在時間上維持一個周期。由于stress會引起器件的很多變化，以HCI為例子，stress會引起器件的特性參數(shù)漂移，造成器件的損傷，或者有stress引起的物理或者是化學(xué)的效應(yīng)，熱效應(yīng)其實不是一個最主要的原因。